ICU中室缺修补术后患儿脑氧饱和度与预后相关性研究

摘　要：目的：探讨ICU中室间隔缺损（VSD）术后患儿脑氧饱和度（SctO2）与预后的相关性。方法：对30例术后转入ICU的VSD患儿进术后12小时连续SctO2监测，将监测期间SctO2低于60%并持续30分钟以上者分入脑缺氧事件（CDEs）阳性组，其余分入脑缺氧阴性组，对比分析两组患儿的并发症、机械通气时间、ICU留置时间及住院时间。结果：CDEs（+）组19例（63.3%），CDEs(-)组11例（26.7%），CDEs（+）组有并发症者16例（84.2%），CDEs(-)有并发症者3例（27.3%），差异具有统计学意义（p=0.004）。CDEs（+）组机械通气时间、ICU留置时间与CDEs(-)组相比显著延长（p=0.001；p=0.002）。结论：术后12小时内脑缺氧事件与VSD患儿的病情及预后显著相关，提醒临床医生对于SctO2测值持续低于60%的VSD患儿应保持足够警惕。

【分　类】 【医药、卫生】 > 临床医学 > 治疗学 > 急症、急救处理
【关键词】 室间隔缺损 脑氧饱和度 预后
【出　处】 《医药》2017年 第11月 01 134-134页　共1页
【收　录】 中文科技期刊数据库

【参考文献】
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