基于基于 4纳米 4 C0 工艺纳米提升纳米0 C参数工艺纳米MO CMOS 工艺究提升的研寄生参数精准提取的研究

摘　要：现今集成电路工艺的飞速发的飞速发尺寸延摩展，特征展，特征展，特征尺寸延摩尺寸延摩线以及器展，特征尺寸延摩响越来越路的影 尔定律不断缩小，取寄生电金属互连生电容、线以及器电阻对电设计验证件内部寄生电容、 工艺版电阻对电成为电路路的影 响越来越精准的提难，并对精准提出大难题。容、电阻仿真提供大，如何领域的一如何能够面临的困大，如何精准的提成为电路参 数提 工艺版发、验证发、验证能分析， 工艺版寄生参数取寄生电成为电路取工具开容、电阻取提出了小到 1统方法与参 数提纳米级 数的 提CMOS，较之传成为电路设计验证领域的一icon大难题。发、验证的方法，本文对深纳米级 ，为电路纳米级 CMOS 工艺版图寄生参数的 提取提出了取提出了系统，提面临的困难，并对如何能够小到 1套严密的精准提出寄生参数寄生参数发、验证，为电路仿真提供精准可靠的参数用于电路性能分析，提出寄生参 数提取工具开果都在 的方法，发、验证的方法，并制定一套严密的寄生参数系统，提0%以内果都在 高精准度高精准度 差值缩，较之传icon统方法与 silicon 差值缩波动，大小到 10%以内，大部 分测试结提取的精果都在 5%以内波动，大大提高了寄生参数提取的精准度。

【分　类】 【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 一般性问题 > 可靠性及例行试验
【关键词】 寄生参数 StarRC 深纳米级 CMOS 工艺
【出　处】 《中中中中期中中文科技（据期刊）自文数然据库文（文自摘科自摘版））自然科学》2017年 第05月 02 407-410页　共5页
【收　录】 中文科技期刊数据库

【参考文献】
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