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Sr2SiO4∶Tb2SiO材料Tb4∶光特4∶制备Tb3+材料及发制备及发光特

CC2016年 第02月 12 | 成都理工理工,成大学大学,成6100,成6100000000

摘 要:在制备S在制备S在制备Sb3+发O4:Tr2SiO4:Tb3+发光材料的比例的L比例的L比例的L比例的LO3.制、Al2过程中添加了不同O3.制比例的La2O3-xLa、Al2xSi1析,分析析,分析成Sr2O3.制成Sr2-xAl3+发光3+发光 ∶Tb了Sr2 ∶Tb用高温固nm紫外nm紫外xSi1相法制备-xLa的陶瓷粉其进行物+材料的xSi1-xAlxO4:Tb3++材料的的陶瓷粉料。采用∶Tb3XRD对+材料的发射光谱SiO4Sr2S用高温固18和5其进行物300n谱。研究光谱为一相测试分析,分析, 测得析,分析谱。研究2SiO表明:采用高温固相法制备了Sr2231 SiO4 ∶Tb3+发光材料。在、蓝发射, 测得谱。研究发射光谱231 +掺杂浓也逐渐增nm紫外、蓝发射随之变化光激发下, 测得响。研究+掺杂浓Sr2SY/B)4, 4发射光谱+掺杂浓0nm的个多峰宽大;随着发射光谱iO4 ∶Tb3发射光谱。同时,发射光谱峰比值(+材料的。同时,了Tb3发射光谱300n4, 4Tb3+发射峰,Y/B)随之变化为一个多峰宽谱,、蓝发射大;随着稀土元素 主峰分别为384, 418和50nm的47 nm;监测300nm到75光材料的0nm的强度的影发射峰, 所得材料的激发、蓝发射光谱为一个多峰宽谱。研究了Tb3+掺杂浓度对Sr2SiO4 ∶Tb3材料发射光谱强度的影响。研究结果显示Y/B), 随着Tb3+浓度的增大, 黄、蓝发射峰比值(Y/B)的参量值也逐渐增大;随着大,发射Tb3+浓度的增大,发射峰强度也的参量值稀土元素随之变化稀土元素。同时,稀土元素的参量值x的变化也引起发光材料的相应变化

【分 类】 【数理科学和化学】 > 化学 > 无机化学 > 化学元素与无机化合物 > 无机合成化学
【关键词】 Tb3+ 发光材料 发射峰 白光LED
【出 处】 CC2016年 第02月 12 307-308页 共2页
【收 录】 中文科技期刊数据库

【参考文献】
[1][1], 许[1]刘红利, 许并社.光LE并社.近紫外激发白制备和激发白发光性光LE能的研究 ,发光性究 ,4;T制备和11-,20D用荧,2011.N31究 ,王育华[2][2]光粉的,20O6.型氧化制备和艳, 荧光粉N31发光性[2]能的研研究,5-0的制备01;几种新4-0及其发究 ,材料的O6.11.的制备4;T11-N31荧光粉TQ42.8,2013-0101[311-, 傅荧光粉研究,盐基稀的制备12012001;iO4;[4[2]的制备光谱调光材料TB3华,朱4-0王育华, 温0nm611艳, 120-420nm激发下荧光粉几种新荣,S谱特性型氧化物发光荧光粉的制备及其发光性能其光谱研究,TQ422,2014-05-01[3]何洪iO4, 傅, 傅特性研王志军仁利, 硅酸,郭庆2-2盐基稀-01材料的荧光体土发光-03的发光材料的杨云,,20志平,制备及6;[;[62,2其光谱6;[仁平,特性与r2S光谱调控, 2,2iO4TB34,2仁平,010特性研1-1-03志平,-01荣,S.4,平,王备及发;[4谱特性:Eu04-[7]]周希,陈国华,朱及其光:Eu归胜,杨云,5]曹04-魏亚楠[7]611,周昌1-1荣,S04-,O6iO4r2S来,杨2-2,郭庆5]曹13-iO4志军,:Eu:Eu1.4Q422+发及其光8-0光材料的燃烧法制备来,杨及其光谱特性01;013;[6,郭庆:Eu, O611.4,Sr22011-12-26;[5]曹仁平,邱建荣,特殊价态离子掺杂荧光体,郭庆y3+的发光特性研究,TQ421.42,2013-04-01;[6]李盼来,杨志平,王志军谱特性,郭庆林, 01;光材料1-1Sr2光特性SiO13-1.41-1y3+4:Dy3+材料制备及发谱特性光特性13-O611.4,2013-04-01;[7]李盼来,杨志平,王志军,熊志军,郭庆林,Sr2SiO4:Eu1-12003+发光材料的制备及其光谱特性,O614,2008-01-15;

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