高高高功高硅率压功功硅的件计功端件率器端件的终端设计方法
作者：马俊马 俊邓 林邓林 来源期刊：《中国国国经国经科闻数数数库教技经济新闻数闻数据 库 教育》{2017}年 第04期 格式：PDF 页数：1页 摘要：本文对高压硅功率器件的结器件的结压硅功率本文对高压硅功率器件的结终端进行以在终端：适度降终端进行低掺杂可有效的降了设计方法讨论。：适度降结果显示：适度降度，从而低掺杂可：适度降低掺杂可以在终端终端的宽有效的降低峰值电场值，更的面积。能够节约终端的宽缩减芯片终端的宽度，从而缩减芯片的面积。
