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高压硅功率器件的终端设计方法

《教育》2017年 第04月 08卷 | 马俊 邓林 四川职业技术学院电子电气工程系,四川 遂宁 629000

摘 要:本文对高压硅功率器件的结终端进行了设计方法讨论。结果显示:适度降低掺杂可以在终端有效的降低峰值电场值,更能够节约终端的宽度,从而缩减芯片的面积。

【分 类】 【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 设计与计算
【关键词】 环形结终端 硅功率器件
【出 处】 《教育》2017年 第04月 08卷 391-391页 共1页
【收 录】 中文科技期刊数据库

【参考文献】
[1]H.C. Lin, “Estimate of Increase of Planar Junction Breakdown Voltage with Field Limiting Ring”, Industry Applications Society Annual Meeting, Conference Record of the 1988 IEEE, 2-7 Oct. 1988 Page(s):674 - 677 vol.1.

来源期刊
教育 《教育》
期刊简介:《教育》(中国科技经济新闻数据库 教育)是国家新闻出版广电总局2009年4月8日批准的国家级电子学术教育期刊,由科技部西南信息中心主管,重庆维普资讯...详细
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